20. Напряжение насыщения фотоэлемента
D. Sättigungsspannung der Photozelle
E. Saturation voltage of photocell
F. Tension de saturation de photocellule
Минимальное значение напряжения питания фотоэлемента, увеличение которого не вызывает существенного изменения фототока фотоэлемента при постоянном световом или лучистом потоке, падающем на фотокатод
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации. academic.ru. 2015.
напряжение насыщения фотоэлемента — Минимальное значение напряжения питания фотоэлемента, увеличение которого не вызывает существенного изменения фототока фотоэлемента при постоянном световом или лучистом потоке, падающем на фотокатод. [ГОСТ 20526 82] Тематики электровакуумные… … Справочник технического переводчика
напряжение — 3.10 напряжение: Отношение растягивающего усилия к площади поперечного сечения звена при его номинальных размерах. Источник: ГОСТ 30188 97: Цепи грузоподъемные калиброванные высокопрочные. Технические условия … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ 20526-82: Приборы электровакуумные фотоэлектронные. Термины и определения — Терминология ГОСТ 20526 82: Приборы электровакуумные фотоэлектронные. Термины и определения оригинал документа: 43. Амплитудно частотная характеристика фотоумножителя D. Amplitudenfrequenzcharakteristik des Photovervielfachers E.… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
время — 3.3.4 время tE (time tE): время нагрева начальным пусковым переменным током IА обмотки ротора или статора от температуры, достигаемой в номинальном режиме работы, до допустимой температуры при максимальной температуре окружающей среды. Источник … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ток — ((continuous) current carrying capacity ampacity (US)): Максимальное значение электрического тока, который может протекать длительно по проводнику, устройству или аппарату при определенных условиях без превышения определенного значения их… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
p - n-ПЕРЕХОД — (электронно дырочный переход) слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n область) и дырочной ( р область) проводимостью. Различают гомопереход, получающийся в результате… … Физическая энциклопедия
